对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IRFM120ATF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STN2NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 100 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4
封装 TO-261-4 TO-261-4
额定电压(DC) 100 V 100 V
额定电流 2.30 A 2.00 A
针脚数 3 4
漏源极电阻 0.2 Ω 0.23 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.4 W 3.3 W
阈值电压 4 V 4 V
输入电容 480 pF -
栅电荷 22.0 nC -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 60.0 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.30 A 2.00 A
上升时间 14 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.4 W 3.3 W
下降时间 28 ns 3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.4W (Ta) 3.3W (Tc)
通道数 - 1
长度 6.7 mm 6.5 mm
宽度 3.7 mm 3.5 mm
高度 1.7 mm 1.8 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/06/16
ECCN代码 EAR99 EAR99