对比图
型号 BSC050N03LSGATMA1 IRFH7936TR2PBF FDMS8027S
描述 INFINEON BSC050N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2.2 V 新PQFN N-CH 30V 20APowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 PowerVDFN-8 Power-56
漏源极电阻 0.0042 Ω 0.0041 Ω 0.0042 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 50 W 3.1 W 36 W
阈值电压 1 V 1.8 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 18A 20A 18A
上升时间 4 ns 12 ns 2.3 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @15V(Vds) 2360pF @15V(Vds) 1815pF @15V(Vds)
下降时间 3.6 ns 7 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 3.1W (Ta) 36 W
额定功率 50 W - -
通道数 1 - -
针脚数 8 - -
输入电容 2100 pF - -
额定功率(Max) - - 2.5 W
封装 PG-TDSON-8 PowerVDFN-8 Power-56
长度 5.49 mm - 5 mm
宽度 - - 6 mm
高度 - - 1.05 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - -