DS1245W-100+和DS1245W-150+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1245W-100+ DS1245W-150+ DS1245W-150

描述 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245W-100+  芯片, 存储器, SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245W-150+  芯片, 存储器, SRAMNVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3.3V 32Pin EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

针脚数 32 32 -

时钟频率 100 GHz 150 GHz 150 GHz

存取时间 100 ns 150 ns 150 ns

内存容量 1000000 B 1000000 B 1000000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

长度 - 43.69 mm 43.69 mm

宽度 - 18.8 mm 18.8 mm

高度 - 9.4 mm 9.4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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