对比图
型号 JAN2N3501UB JANS2N3501UB 2N3501UB
描述 抗辐射硅NPN开关晶体管 RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTORNPN 150V 0.3A抗辐射 RADIATION HARDENED
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 3 3
封装 SMD-3 Case SMD-3
击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 150 V
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V - 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) 500 mW - 500 mW
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW
耗散功率 - 0.5 W 0.5 W
极性 - NPN -
集电极最大允许电流 - 0.3A -
封装 SMD-3 Case SMD-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - - Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead -