对比图
型号 IPB70N10S3L12ATMA1 IXTA80N10T7 IXFH80N10
描述 Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB70N10S3L12ATMA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装D2PAK N-CH 100V 80ATO-247AD N-CH 100V 80A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3-2 TO-263-7 TO-247-3
引脚数 3 - -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 125 W 230W (Tc) 300 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 70A 80A 80A
输入电容(Ciss) 4270pF @25V(Vds) 3040pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 125W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc)
上升时间 5 ns - 63 ns
下降时间 5 ns - 26 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
封装 TO-263-3-2 TO-263-7 TO-247-3
长度 10 mm - 16.26 mm
宽度 9.25 mm - 5.3 mm
高度 4.4 mm - 21.46 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended Not Recommended
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free