对比图
型号 IRF7821TRPBF STS14N3LLH5 IRF7821GTRPBF
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N沟道30 V ， 0.005 Ω ， 14 A - SO- 8的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.005 Ω, 14 A - SO-8 STripFET™ V Power MOSFETSOIC N-CH 30V 13.6A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8
通道数 - 1 1
漏源极电阻 0.007 Ω 5 mΩ 9.1 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.5 W 2.7 W 2.5 W
阈值电压 1 V 1 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 13.6A 7.00 A 13.6A
上升时间 2.7 ns 14.5 ns 2.7 ns
输入电容(Ciss) 1010pF @15V(Vds) 1500pF @25V(Vds) 1010pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.7 W -
下降时间 7.3 ns 4.5 ns 7.3 ns
工作温度(Max) 155 ℃ 150 ℃ 155 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.7W (Tc) 2.5W (Ta)
额定功率 2.5 W - -
长度 5 mm 5 mm 4.9 mm
宽度 4 mm 4 mm 3.9 mm
高度 1.5 mm 1.65 mm 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 155℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -