PD55025和PD55025S-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD55025 PD55025S-E PD55025TR-E

描述 RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsTrans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3Pin PowerSO-10RF (Formed lead) T/R

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 10 3

封装 PowerSO-10 PowerSO-10RF PowerSO-10RF-2

频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz

额定电压(DC) - 40.0 V -

额定电流 - 7 A -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 79.0 W 79 W 79000 mW

漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V

漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V 12.5 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7.00 A -

输出功率 25 W 25 W 25 W

增益 14.5 dB 14.5 dB 14.5 dB

测试电流 200 mA 200 mA 200 mA

输入电容(Ciss) - 86pF @12.5V(Vds) 86pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max) - 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 79000 mW 79000 mW

额定电压 40 V 40 V 40 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 PowerSO-10 PowerSO-10RF PowerSO-10RF-2

工作温度 - -65℃ ~ 165℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台