对比图
型号 IRL2203NPBF STP90NF03L STP75N3LLH6
描述 INTERNATIONAL RECTIFIER IRL2203NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 116A, TO-220AB 新N沟道30V - 0.0056ohm - 90A TO- 220 / I2PAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A TO-220/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFETN沟道30 V ， 0.0042 I© ， 75 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ，短IPAK N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAK
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 180 W 150 W 60 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 116 A 90.0 A 75A
上升时间 160 ns 200 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 3290pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds) 2030pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 180 W 150 W 60 W
下降时间 - 105 ns 12 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 150W (Tc) 60W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 116 A 90.0 A -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 7 mΩ 6.5 mΩ -
输入电容 - 2700 pF -
漏源击穿电压 30.0 V 30 V -
栅源击穿电压 ±16.0 V ±20.0 V -
针脚数 3 - -
产品系列 IRL2203N - -
阈值电压 1 V - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 9.15 mm -
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 -