DS1225Y-150和DS1225Y-150IND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1225Y-150 DS1225Y-150IND DS1225AD-150+

描述 NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28Pin EDIP64K Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-150+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 - 28

封装 DIP EDIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 4.50V (min) - 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V

针脚数 - - 28

时钟频率 - - 150 GHz

存取时间 150 ns 150 ns 150 ns

内存容量 8000 B - 8000 B

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ 0 ℃

电源电压 - - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V

负载电容 10.0 pF - -

长度 - 39.12 mm 39.12 mm

宽度 - 18.29 mm 18.29 mm

高度 - 9.4 mm 9.4 mm

封装 DIP EDIP-28 EDIP-28

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台