DTC123EET1G和DTC123EM3T5G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC123EET1G DTC123EM3T5G DTC123JMT2L

描述 偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor NetworkNPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。ROHM  DTC123JMT2L  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.047 电阻比率, SC-105AA

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-75-3 SOT-723-3 VMT-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.3 W 0.6 W 0.15 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V 8 @5mA, 10V 80 @10mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 8 80

额定功率(Max) 200 mW 260 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 - - 250 MHz

耗散功率(Max) 300 mW 338 mW 150 mW

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

长度 - 1.25 mm 1.3 mm

宽度 - 0.8 mm 0.9 mm

高度 - 0.55 mm 0.45 mm

封装 SC-75-3 SOT-723-3 VMT-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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