对比图
型号 DS1225Y-200 DS1225AD-200+ DS1225AD-200IND+
描述 NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28Pin EDIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-200+ 芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-200IND+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 28 28
封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28
负载电容 10.0 pF - -
存取时间 200 ns 200 ns 200 ns
内存容量 2000 B 8000 B 8000 B
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 5 V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)
工作电压 - 4.5V ~ 5.5V -
供电电流 - 75 mA -
针脚数 - 28 28
时钟频率 - 200 GHz 200 GHz
存取时间(Max) - 200 ns -
电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V
电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V
长度 39.12 mm 39.37 mm -
宽度 18.29 mm 18.8 mm 18.29 mm
高度 9.4 mm 9.35 mm -
封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bulk Each Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)