对比图
型号 STI18NM60N STU5N95K3 STI200N6F3
描述 I2PAK N-CH 600V 13ASTMICROELECTRONICS STU5N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 VI2PAK N-CH 60V 120A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 -
封装 TO-262-3 TO-251-3 TO-262-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 3 Ω -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 110W (Tc) 90 W 330W (Tc)
阈值电压 - 4 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 950 V 60 V
漏源击穿电压 - 950 V -
上升时间 - 7 ns -
输入电容(Ciss) 1000pF @50V(Vds) 460pF @25V(Vds) 6265pF @25V(Vds)
下降时间 - 18 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 110W (Tc) 90W (Tc) 330W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 13A - 120A
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 2.4 mm -
高度 - 6.9 mm -
封装 TO-262-3 TO-251-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -