对比图
描述 驱动晶体管PNP硅 Driver Transistor PNP SiliconON SEMICONDUCTOR MMBTA56WT1G Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -80 V, 50 MHz, 150 mW, -500 mA, 100 hFE 新
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SC-70-3 SC-70-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V
额定电流 -500 mA -500 mA
极性 PNP PNP
耗散功率 150 mW 150 mW
增益频宽积 50 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V
额定功率(Max) 150 mW 150 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
频率 - 50 MHz
针脚数 - 3
直流电流增益(hFE) - 100
耗散功率(Max) - 150 mW
长度 2.1 mm -
宽度 1.24 mm -
高度 0.85 mm -
封装 SC-70-3 SC-70-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99