对比图
型号 CSD19533Q5A CSD19535KCS CSD19533Q5AT
描述 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19535KCS100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、9.5mΩ 8-VSONP -55 to 150
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 8 3 8
封装 VSON-FET-8 TO-220-3 VSONP-8
针脚数 8 3 -
漏源极电阻 0.0078 Ω 0.0031 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 3.2 W 300 W 3.2 W
阈值电压 2.8 V 2.7 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 100A 150A 100A
上升时间 6 ns 15 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 2670pF @50V(Vds) 6100pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds)
下降时间 5 ns 5 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 96W (Tc) 300W (Tc) 3200 mW
额定功率(Max) - 300 W -
封装 VSON-FET-8 TO-220-3 VSONP-8
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 4.7 mm -
高度 - 16.51 mm -
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 正在供货 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99