对比图
型号 IPP075N15N3GXKSA1 FDP075N15A_F102 IPP075N15N3G
描述 INFINEON IPP075N15N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 VFDP075N15A 系列 150 V 6.25 mOhm 333 W N-沟道 PowerTrench Mosfet -TO-220-3OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 300 W - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0062 Ω - -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 300 W 333 W 300 W
阈值电压 3 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V -
连续漏极电流(Ids) 100A 130A -
上升时间 35 ns 37 ns -
输入电容(Ciss) 5470pF @75V(Vds) 7350pF @75V(Vds) -
额定功率(Max) 300 W 333 W -
下降时间 14 ns 21 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 333W (Tc) 300W (Tc)
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.7 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
香港进出口证 - - NLR