对比图
型号 SIHP12N50C-E3 STP14NM50N IXFP12N50P
描述 VISHAY SIHP12N50C-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 VSTP14NM50N 系列 N 沟道 500 V 0.32 Ohm MDmesh II 功率 MOSFet - TO-220-3N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.46 Ω 0.28 Ω 0.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 208 W 90 W 200 W
阈值电压 3 V 3 V 5.5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) - 12A 12.0 A
上升时间 - 9 ns -
输入电容(Ciss) - 816pF @50V(Vds) 1830pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 90 W 200 W
下降时间 - 32 ns -
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 90W (Tc) 200W (Tc)
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 12.0 A
输入电容 - - 1.69 nF
栅电荷 - - 29.0 nC
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.66 mm
宽度 - 4.6 mm 4.83 mm
高度 - 15.75 mm 9.15 mm
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
产品生命周期 - Active Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2016/06/20
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -