BSP295和BSP295E6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP295 BSP295E6327 SP-29

描述 INFINEON  BSP295  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 50 V, 0.22 ohm, 10 V, 1.1 VMOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOT-223 SOT-223-4 SOT-223

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 4 -

封装 SOT-223 SOT-223-4 SOT-223

长度 6.5 mm - -

宽度 3.5 mm - -

高度 1.6 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.22 Ω - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 1.8 W 1.8W (Ta) -

阈值电压 1.1 V - -

漏源极电压(Vds) 50 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 1.70 A 1.80 A -

上升时间 9.9 ns 9.9 ns -

输入电容(Ciss) 295pF @25V(Vds) 368pF @25V(Vds) -

下降时间 9.9 ns 19 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.8 W 1.8W (Ta) -

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 1.80 A -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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