对比图
型号 FDMS7670AS FDMS8660S BSC030N03LSGATMA1
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS7670AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1.6 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8660S 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 2.4 mohm, 10 V, 1.5 VINFINEON BSC030N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.5 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 Power-56 Power-56 PG-TDSON-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0024 Ω 2.4 mΩ 0.0025 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 65 W 83 W 69 W
阈值电压 1.6 V 1.5 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 22A 25.0 A 23A
上升时间 6 ns 12.0 ns 5.2 ns
输入电容(Ciss) 4225pF @15V(Vds) 4345pF @15V(Vds) 4300pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -
下降时间 5 ns - 4.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 65W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
额定功率 - - 69 W
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 40.0 A -
输入电容 - 4.34 nF -
栅电荷 - 113 nC -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 5 mm - 5.9 mm
宽度 6 mm - 5.15 mm
高度 1.05 mm - 1.27 mm
封装 Power-56 Power-56 PG-TDSON-8
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -