PMGD780SN和PMGD780SN,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMGD780SN PMGD780SN,115

描述 PMGD780SN 复合场效应管 60V 490mA/0.49A SOT-363/SC70-6 marking/标记 D7 快速开关 驱动电路NXP  PMGD780SN,115  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 300 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 6

封装 SOT-363 SOT-323-6

通道数 - -

针脚数 - 6

漏源极电阻 - 0.78 Ω

耗散功率 - 410 mW

阈值电压 - 2 V

输入电容 - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

漏源击穿电压 - -

上升时间 - 4 ns

输入电容(Ciss) - 23pF @30V(Vds)

额定功率(Max) - 410 mW

下降时间 - 2.2 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 0.41 W

极性 N-CH N-Channel, Dual N-Channel

连续漏极电流(Ids) 0.49A 490 mA

长度 - 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm

高度 - 1 mm

封装 SOT-363 SOT-323-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC

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