STP8NM50N和STU8NM50N

对比图

型号 STP8NM50N STU8NM50N FQP9N50C

描述 STMICROELECTRONICS  STP8NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.73 Ω 0.73 Ω 800 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 45 W 135 W

阈值电压 3 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 5A - 9.00 A

上升时间 4.4 ns 4.4 ns 65 ns

输入电容(Ciss) 364pF @50V(Vds) 364pF @50V(Vds) 1030pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 45 W - 135 W

下降时间 9 ns 8.8 ns 64 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 45W (Tc) 45W (Tc) 135W (Tc)

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 9.00 A

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

长度 10.4 mm 6.6 mm -

宽度 4.6 mm 2.4 mm -

高度 16.4 mm 6.9 mm -

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99