STP8NM50N

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STP8NM50N概述

STMICROELECTRONICS  STP8NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB


立创商城:
N沟道 500V 5A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP8NM50N, 5 A, Vds=500 V, 4引脚 TO-220封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP8NM50N  MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
500V,5A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB


STP8NM50N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.73 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 4.4 ns

输入电容Ciss 364pF @50VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP8NM50N
型号: STP8NM50N
描述:STMICROELECTRONICS  STP8NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 V
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