对比图
型号 IXFX64N50P STY60NM50
描述 N沟道 500 V 830 W 150 nC PolarHV HiPerFET Mosfet - PLUS-247STMICROELECTRONICS STY60NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 500 V, 50 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V
额定电流 64.0 A 60.0 A
耗散功率 830 W 560 W
输入电容 8.70 nF -
栅电荷 150 nC -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 64.0 A 60.0 A
上升时间 25 ns 58 ns
输入电容(Ciss) 8700pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)
下降时间 22 ns 46 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 830W (Tc) 560W (Tc)
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.05 Ω
极性 - N-Channel
阈值电压 - 4 V
漏源击穿电压 - 500 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V
额定功率(Max) - 560 W
长度 16.13 mm -
宽度 5.21 mm 5.3 mm
高度 21.34 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17