SPI80N03S2L-06和STP75NS04Z

对比图

型号 SPI80N03S2L-06 STP75NS04Z KU054N03D

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN-Ch Trench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-262-3-1 TO-220-3 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 150W (Tc) 110 W -

输入电容 2.53 nF - -

栅电荷 68.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 33 V -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A -

输入电容(Ciss) 2530pF @25V(Vds) 1860pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 150W (Tc) 110W (Tc) -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 11 mΩ -

漏源击穿电压 - 33 V -

上升时间 - 248 ns -

额定功率(Max) - 110 W -

下降时间 - 85 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-262-3-1 TO-220-3 -

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 15.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -