对比图
型号 STP100NF04 STP60NF06 IRF1104PBF
描述 N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 VINTERNATIONAL RECTIFIER IRF1104PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 100A, TO-220AB 新
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 40.0 V 60.0 V 40.0 V
额定电流 120 A 60.0 A 100 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0046 Ω 0.016 Ω 9 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 110 W 170 W
产品系列 - - IRF1104
阈值电压 4 V 2 V 4 V
输入电容 - - 2900pF @25V
漏源极电压(Vds) 40 V 60 V 40 V
漏源击穿电压 40 V 60.0 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 120 A 60.0 A 100 A
输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 110 W 170 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
通道数 1 1 -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
上升时间 220 ns 108 ns -
下降时间 50 ns 20 ns -
耗散功率(Max) 300000 mW 110W (Tc) -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.54 mm
高度 9.15 mm 9.15 mm 15.24 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 4.6 mm 4.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -