FDS6690和FDS6990A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6690 FDS6990A SI6968BEDQ-T1-E3

描述 单N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFETON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6990A, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装TRANSISTOR 5200mA, 20V, 2Channel, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpose Small Signal

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 TSSOP-8

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 25.0 mΩ 0.011 Ω 0.022 Ω

耗散功率 2.5 W 1.6 W 1.5 W

阈值电压 - 1.9 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V

上升时间 13 ns 5 ns -

输入电容(Ciss) - 1235pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) - 900 mW 1 W

下降时间 10 ns 10 ns 765 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.6 W -

漏源击穿电压 30.0 V - 20 V

热阻 - - 83℃/W (RθJA)

极性 N-Channel - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A - -

长度 - 4.9 mm 4.5 mm

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.57 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 TSSOP-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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