BSP297L6327和FDD6N20TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP297L6327 FDD6N20TM PHD9NQ20T,118

描述 Mosfet n-Ch 200V 660mA Sot-223 - Bsp297 L6327FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6N20TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 5 VDPAK N-CH 200V 8.7A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-261 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.6 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 1.50 W 40 W 88 W

阈值电压 - 5 V -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 200 mA 4.5A 8.7A

上升时间 - 5.6 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 357pF @25V(Vds) 230pF @25V(Vds) 959pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.8 W 40 W 88 W

下降时间 - 12.8 ns 15 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 40W (Tc) 88W (Tc)

通道数 - - 1

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 660 mA - -

输入电容 45.0 pF - -

栅电荷 1.50 nC - -

封装 TO-261 TO-252-3 TO-252-3

宽度 - - 6.22 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -

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