对比图
型号 STS19N3LLH6 STS5N15F4 FDS2572
描述 SO N-CH 30V 19AN沟道150 V， 0.057Î © ， 5 A， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 150 V, 0.057Ω, 5 A, SO-8 STripFET⢠DeepGATE⢠Power MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS2572 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 150 V, 0.04 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 1 1 -
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 4.9 mΩ 57 mΩ 0.04 Ω
耗散功率 2.7W (Ta) 2.5 W 2.5 W
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 30 V 150 V 150 V
漏源击穿电压 30 V 150 V 150 V
上升时间 - 5.1 ns 4 ns
输入电容(Ciss) 1690pF @25V(Vds) 2710pF @25V(Vds) 2050pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W
下降时间 - 11.4 ns 22 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.7W (Ta) 2.5W (Tc) 2.5 W
额定电压(DC) - - 150 V
额定电流 - - 4.90 A
极性 N-CH - N-Channel
输入电容 - - 2.05 nF
栅电荷 - - 29.0 nC
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 19A - 4.90 A
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99