对比图
型号 BCR103T PDTC123JU,115 MUN5235T1G
描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorNXP PDTC123JU,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 UMT封装ON SEMICONDUCTOR MUN5235T1G 晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q100, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-323 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Nexperia (安世) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 SC-75 SOT-323-3 SC-70-3
耗散功率 - 0.2 W 0.31 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @10mA, 10V 80 @5mA, 10V
额定功率(Max) - 200 mW 202 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 200 mW 310 mW
额定电压(DC) - - 50.0 V
额定电流 - - 100 mA
极性 NPN - N-Channel
集电极最大允许电流 100mA - 100mA
长度 - 2.2 mm -
宽度 - 1.35 mm -
高度 - 1 mm -
封装 SC-75 SOT-323-3 SC-70-3
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99