对比图
型号 IRFB3307ZPBF STP160N75F3 PHP160NQ08T,127
描述 75V,5.8mΩ,120A,N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS STP160N75F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VTO-220AB N-CH 75V 75A
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 75.0 V - -
额定电流 120 A - -
漏源极电阻 5.8 mΩ 3.5 mΩ 90 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 230 W 330 W 300 W
产品系列 IRFB3307Z - -
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 4.75 nF - -
栅电荷 110 nC - -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 120 A 60.0 A 75A
输入电容(Ciss) 4750pF @50V(Vds) 6750pF @25V(Vds) 5585pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 230 W 330 W 300 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 1
漏源击穿电压 - - 75 V
上升时间 - 65 ns 56 ns
下降时间 - 15 ns 48 ns
耗散功率(Max) - 330W (Tc) 300W (Tc)
针脚数 - 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.3 mm
宽度 - 4.6 mm 4.7 mm
高度 - 15.75 mm 9.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Rail
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -