TC58NVG1S3ETAI0和TH58NVG1S3AFT05

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TC58NVG1S3ETAI0 TH58NVG1S3AFT05 NAND02GW3B2DN6E

描述 Toshiba### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 35ns 48Pin TSOP-I2-Gbit, 2112Byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8V or 3V, NAND flash memories

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝) Numonyx

分类 Flash芯片存储芯片

基础参数对比

封装 TSOP-48 TSOP1 TSOP-48

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 48 - -

封装 TSOP-48 TSOP1 TSOP-48

长度 18.4 mm - -

宽度 12.4 mm - -

高度 1 mm - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

供电电流 30 mA - -

位数 8 - -

存取时间 25 ns - -

存取时间(Max) 25 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

电源电压 2.7V ~ 3.6V - -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -

ECCN代码 EAR99 - -

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