对比图
型号 2N6341 JANTX2N6274 2N6340
描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORt-Npn Si-Pwr Amp Sw ; Rohs Compliant: Yes
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管分立器件
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-3 TO-3 -
极性 - NPN -
耗散功率 200 W 250 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 100 V -
集电极最大允许电流 - 50A -
最小电流放大倍数(hFE) - 30 @20A, 4V -
额定功率(Max) - 250 W -
工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 200000 mW 250000 mW -
封装 TO-3 TO-3 -
材质 Silicon Silicon -
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tray -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - -
ECCN代码 - EAR99 -