BC858W,135和BC858W,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858W,135 BC858W,115

描述 SC-70 PNP 30V 0.1ASC-70 PNP 30V 0.1A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323-3 SOT-323-3

引脚数 - 3

极性 PNP PNP

耗散功率 200 mW 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 125 @2mA, 5V 125 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 125 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 200 mW 200 mW

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW

频率 - 100 MHz

针脚数 - -

增益频宽积 - -

直流电流增益(hFE) - -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

封装 SOT-323-3 SOT-323-3

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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