DS1258AB-100和DS1258W-100IND#

对比图

型号 DS1258AB-100 DS1258W-100IND# DS1258AB

描述 IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIPIC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP128K x 16 Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Dallas Semiconductor (达拉斯半导体)

分类 存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DIP-40 DIP-40 -

引脚数 40 - -

电源电压 4.75V ~ 5.25V 3V ~ 3.6V -

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) - -

时钟频率 100 GHz - -

存取时间 100 ns - -

内存容量 250000 B - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压(Max) 5.25 V - -

电源电压(Min) 4.75 V - -

封装 DIP-40 DIP-40 -

长度 53.72 mm - -

宽度 18.29 mm - -

高度 8.13 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead PB free -