对比图
型号 IR2109S IR2109STRPBF IR2109SPBF
描述 600V Half Bridge Driver IC with typical 0.2A source and 0.35A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP.P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON IR2109SPBF 双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 20.0V (max) 10.0V (min) 10.0V (min)
上升/下降时间 150ns, 50ns 150ns, 50ns 150ns, 50ns
输出接口数 2 2 2
耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW
产品系列 IR2109 - -
下降时间(Max) 80 ns 80 ns 80 ns
上升时间(Max) 220 ns 220 ns 220 ns
耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
输出电压 - 10.20 V 10.20 V
输出电流 - 200 mA 200 mA
针脚数 - 8 8
静态电流 - 1.6 mA -
上升时间 - 220 ns 220 ns
下降时间 - 80 ns 80 ns
工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
电源电压(Max) - 20 V 20 V
电源电压(Min) - 10 V 10 V
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99