DTC123JET1和DTC123JET1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC123JET1 DTC123JET1G DTC123JE

描述 DTC123JET1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 2.2k 47k 增益80 SOT-523 marking/标记 8MNPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。数字晶体管( BRT ) R1 = 2.2千欧, R2 = 47 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 47 k

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SC-75-3 SC-75-3 SC-75-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.2 W 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 80

额定功率(Max) 200 mW 200 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

长度 1.6 mm 1.65 mm -

宽度 0.8 mm 0.9 mm -

高度 0.75 mm 0.8 mm -

封装 SC-75-3 SC-75-3 SC-75-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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