对比图
型号 IRFZ44ZSPBF IRLZ44ZSTRLPBF PSMN015-60BS
描述 INFINEON IRFZ44ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.9 mohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。NXP PSMN015-60BS 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0126 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0139 Ω 0.011 Ω 0.0126 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 80 W 80 W 86 W
阈值电压 4 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V
输入电容(Ciss) 1420pF @25V(Vds) 1620pF @25V(Vds) 1220pF @30V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 80000 mW 80W (Tc) 86 W
额定功率 80 W 80 W -
连续漏极电流(Ids) 51A 51A -
上升时间 68 ns 160 ns -
额定功率(Max) - 80 W -
下降时间 41 ns 42 ns -
通道数 1 - -
漏源击穿电压 55 V - -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.3 mm
宽度 9.65 mm 11.3 mm 11 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.5 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant Exempt
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 EAR99 - -