对比图
型号 IRFP264PBF IRFP4229PBF STW52NK25Z
描述 功率MOSFET Power MOSFETINFINEON IRFP4229PBF 晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 44 A, 300 V, 38 mohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STW52NK25Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 250 V - 250 V
额定电流 38.0 A - 52.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.075 Ω 0.038 Ω 0.033 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 280 W 310 W 300 W
阈值电压 4 V 5 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
漏源击穿电压 250 V - 250 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 38.0 A 44A 26.0 A
上升时间 99 ns 27 ns 75 ns
输入电容(Ciss) 5400pF @25V(Vds) 4560pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 280 W 310 W 300 W
下降时间 92 ns 19 ns 55 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 280 W 310W (Tc) 300000 mW
额定功率 280 W 310 W -
输入电容 - 4560 pF -
长度 15.87 mm 15.87 mm 15.75 mm
宽度 5.31 mm 5.3 mm 5.15 mm
高度 20.7 mm 20.3 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 500 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17