DN2540N8和DN2540N8-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DN2540N8 DN2540N8-G

描述 0.17A, 25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-243AA400V,150mA,N沟道功率MOSFET

数据手册 --

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 4 3

封装 SOT-89 SOT-89

漏源极电阻 - 17 Ω

极性 - -

耗散功率 - 1.6 W

漏源击穿电压 - -

栅源击穿电压 - -

连续漏极电流(Ids) - -

额定功率 - 1.6 W

针脚数 - 3

输入电容 - 200 pF

漏源极电压(Vds) - 400 V

上升时间 - 15 ns

输入电容(Ciss) 200pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.6 W

下降时间 - 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1600 mW 1.6W (Tc)

封装 SOT-89 SOT-89

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台