IRF8714PBF和STS11NF30L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF8714PBF STS11NF30L IRF7413TRPBF

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8Pin SOIC TubeN 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsIRF7413TRPBF 编带

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 11.0 A 13.0 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF8714 - IRF7413

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 11.0 A 13.0 A

上升时间 - 39 ns 8.00 ns

输入电容(Ciss) 1020pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

通道数 1 - -

漏源极电阻 8.7 mΩ 0.0085 Ω -

阈值电压 2.35 V 1 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 - 2.5 W -

漏源击穿电压 - 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±18.0 V -

下降时间 - 16 ns -

耗散功率(Max) - 2500 mW -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.25 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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