MMUN2135LT1G和MMUN2211LT1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMUN2135LT1G MMUN2211LT1 BC849C

描述 双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorTransistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

耗散功率 0.4 W 246 mW 250 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 400 mW 250 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 PNP - -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA - -

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V -

额定功率(Max) 246 mW 246 mW -

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 100 mA -

最大电流放大倍数(hFE) - 35 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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