对比图
型号 IRLR8103V R8-10 IRLR8103VTRPBF
描述 N沟道 30V 91APower Field-Effect Transistor, 91A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3DPAK N-CH 30V 91A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-252 - TO-252-3
额定功率 - - 89 W
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 115 W - 115 W
漏源极电压(Vds) 30.0 V - 30 V
连续漏极电流(Ids) 91.0 A - 91A
上升时间 9 ns - 9 ns
输入电容(Ciss) - - 2672pF @16V(Vds)
额定功率(Max) - - 115 W
下降时间 18 ns - 18 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 115W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 89.0 A - -
产品系列 IRLR8103V - -
漏源击穿电压 30.0 V - -
封装 TO-252 - TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free