BCP56-16T3G和BCP5616E6327HTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56-16T3G BCP5616E6327HTSA1 SBCP56-16T1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BCP56-16T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新SOT-223 NPN 80V 1ANPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 - 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 130 MHz - 130 MHz

针脚数 4 - 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.5 W - 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.5 W 2 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) 25 - 25

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1.5 W 2 W 1.5 W

额定电压(DC) 80.0 V - -

额定电流 1.00 A - -

长度 6.5 mm - 6.7 mm

宽度 3.5 mm - 3.7 mm

高度 1.63 mm - 1.65 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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