对比图
型号 PBSS8110S PBSS8110D,115 PBSS8110X
描述 100 V ，1 A NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorTSOP NPN 100V 1ANXP PBSS8110X 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 100 MHz, 2 W, 1 A, 150 hFE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 6 3
封装 SPT TSOP-6 SOT-89
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - 300 mW 2 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 1A 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) - 150 @250mA, 10V 80
额定功率(Max) - 700 mW -
直流电流增益(hFE) - 150 150
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 700 mW 2 W
针脚数 - - 3
封装 SPT TSOP-6 SOT-89
长度 - - 4.6 mm
宽度 - - 2.6 mm
高度 - - 1.6 mm
工作温度 - 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC