ZVP0545A和ZVP0545ASTZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZVP0545A ZVP0545ASTZ TP5335K1-G

描述 DIODES INC.  ZVP0545A  晶体管, MOSFET, P沟道, 45 mA, -450 V, 150 ohm, -10 V, -3 VTrans MOSFET P-CH 450V 0.045A Automotive 3Pin E-Line T/R晶体管, MOSFET, DMOS, P沟道, -85 mA, -350 V, 30 ohm, -10 V, -2.4 V

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 SOT-23-3

额定功率 - - 0.36 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 150 Ω 100 Ω 30 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 700 mW 700 mW 360 mW

漏源极电压(Vds) 450 V 450 V 350 V

连续漏极电流(Ids) 45.0 mA 45.0 mA 0.085A

输入电容(Ciss) 120pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds) 110pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 700mW (Ta) 700mW (Ta) 360mW (Ta)

额定电压(DC) -450 V -450 V -

额定电流 -45.0 mA -45.0 mA -

通道数 - 1 -

输入电容 120 pF 120 pF -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

上升时间 15 ns 15 ns -

额定功率(Max) 700 mW 700 mW -

下降时间 20 ns 20 ns -

封装 TO-92-3 TO-92-3 SOT-23-3

长度 - 4.77 mm -

宽度 - 2.41 mm -

高度 - 4.01 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

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