MMBT5401和MMBT5401LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT5401 MMBT5401LT1G MMBT5401_D87Z

描述 MMBT5401系列 150 V CE击穿 0.6 A PNP 通用 放大器 - SOT-23ON SEMICONDUCTOR  MMBT5401LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFETrans GP BJT PNP 150V 0.6A 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 -

耗散功率 350 mW 225 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 150 V

最小电流放大倍数(hFE) 50 60 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 350 mW

直流电流增益(hFE) 240 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW -

频率 - 300 MHz -

额定电压(DC) - -150 V -

额定电流 - -500 mA -

极性 - PNP, P-Channel -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.96 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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