对比图
型号 IRFB31N20D STP20NF20 STP30NF20
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3Pin(3+Tab) TO-220ABSTMICROELECTRONICS STP20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 31.0 A 18.0 A 30.0 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 0.125 Ω 75.0 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 3.1 W 90 W 125 W
输入电容 - 940 pF 1.60 nF
栅电荷 - 28.0 nC 38.0 nC
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 - 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 18.0 A 30.0 A
上升时间 38.0 ns 30 ns 15.7 ns
输入电容(Ciss) - 940pF @25V(Vds) 1597pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 90 W 125 W
下降时间 - 10 ns 8.8 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 125W (Tc)
产品系列 IRFB31N20D - -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3 V -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 15.75 mm 15.75 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -