FQD8P10TF和FQD8P10TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD8P10TF FQD8P10TM

描述 Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD8P10TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -6.6 A, -100 V, 0.41 ohm, -10 V, -4 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -100 V -100 V

额定电流 -6.60 A -6.60 A

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 530 mΩ 0.41 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 44 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.60 A 6.60 A

上升时间 110 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 470pF @25V(Vds) 470pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W

下降时间 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc)

阈值电压 - -

长度 6.73 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 6.1 mm

高度 2.39 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99

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