对比图
型号 APT10M07JVFR STE250NS10 IXFN150N10
描述 Trans MOSFET N-CH 100V 225A 4Pin SOT-227STMICROELECTRONICS STE250NS10 晶体管, MOSFET, N沟道, 125 A, 100 V, 0.0045 ohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227B
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Chassis
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227 ISOTOP-4 SOT-227-4
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 225 A 220 A 150 A
耗散功率 700 W 500 W 520 W
输入电容 21.6 nF - -
栅电荷 1.05 µC - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 225 A 220 A -
上升时间 60 ns 380 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 18000pF @25V(Vds) 31000pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)
下降时间 20 ns 300 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 700000 mW 500W (Tc) 520W (Tc)
额定功率 - 500 W -
针脚数 - 4 -
漏源极电阻 - 4.5 mΩ -
极性 - N-Channel -
阈值电压 - 3 V -
漏源击穿电压 - 100 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
额定功率(Max) - 500 W 520 W
封装 SOT-227 ISOTOP-4 SOT-227-4
长度 - 38.2 mm 38.23 mm
宽度 - 25.5 mm 25.42 mm
高度 - 9.1 mm 9.6 mm
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
ECCN代码 - EAR99 -