对比图
型号 FDD4243 FDD4243_F085 AOD413A
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD4243 晶体管, MOSFET, P沟道, 14 A, -40 V, 0.036 ohm, 20 V, -1.6 VPowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。-40V,-12A,P沟道MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
极性 P-Channel P-CH P-CH
耗散功率 42 W 42 W 5 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14A 12A
上升时间 15 ns 15 ns -
输入电容(Ciss) 1550pF @20V(Vds) 1550pF @20V(Vds) 1125pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 3 W 50 W 50 W
下降时间 7 ns 7 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 42W (Tc) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
额定电压(DC) -40.0 V - -
额定电流 -14.0 A - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.036 Ω - -
输入电容 1.55 nF - -
栅电荷 29.0 nC - -
漏源击穿电压 40.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
额定功率 - - 25 W
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.39 mm 2.39 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -