AS4C512M8D3-12BIN和AS4C512M8D3-12BINTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS4C512M8D3-12BIN AS4C512M8D3-12BINTR AS4C512M8D3A-12BIN

描述 DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, 9 X 10.5MM, 1.2MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-78DRAM Chip DDR3 SDRAM 4G-Bit 512M x 8 1.5V 78Pin F-BGA T/RDRAM 4G 1.5V 800MHz 512M x 8 DDR3

数据手册 ---

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TFBGA-78 TFBGA-78 FBGA-78

安装方式 - - Surface Mount

电源电压 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V

时钟频率 - - 800 MHz

存取时间 - - 20 ns

工作温度(Max) - - 95 ℃

工作温度(Min) - - 40 ℃

电源电压(Max) - - 1.575 V

电源电压(Min) - - 1.425 V

封装 TFBGA-78 TFBGA-78 FBGA-78

工作温度 -40℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

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